BSS314PEH6327 دیتاشیت

BSS314PEH6327

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSS314PEH6327
حجم فایل 70.893 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت BSS314PEH6327

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSS314PEH6327
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@6.3uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 140mΩ@10V,1.5A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه